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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTNS3193NZT5G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTNS3193NZT5G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTNS3193NZT5G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTNS3193NZT5G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Description détaillée
Emballage
3-XFLGA
Fiche technique
NTNS3193NZ.pdf
État RoHS
En stock: 162920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTNS3193NZT5G
onsemi - NTNS3193NZT5G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTNS3193NZT5G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 3-XLLGA (0.62x0.62)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 120mW (Ta)  
Package / Boîte 3-XFLGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15.8 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 224mA (Ta)  
Numéro de produit de base NTNS3193  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTNS3193NZT5G

Attributs du produit NTNS3193NZT5G NTNS3A65PZT5GHW NTNUS3171PZT5G DMP2305UQ-7
Modèle de produit NTNS3193NZT5G NTNS3A65PZT5GHW NTNUS3171PZT5G DMP2305UQ-7
Fabricant onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Package composant fournisseur 3-XLLGA (0.62x0.62) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) SOT-1123 SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 224mA (Ta) 281mA (Ta) 150mA (Ta) 4.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V 1.1 nC @ 4.5 V - 7.6 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 120mW (Ta) 155mW (Ta) 125mW (Ta) 1.4W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15.8 pF @ 15 V 44 pF @ 10 V 13 pF @ 15 V 727 pF @ 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Package / Boîte 3-XFLGA 3-XFDFN SOT-1123 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NTNS3193 - NTNUS3171 DMP2305

Fiche technique NTNS3193NZT5G PDF

Téléchargez NTNS3193NZT5G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTNS3193NZT5G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NTNS3193NZ.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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