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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD6601NR2G
NTMD6601NR2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMD6601NR2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD6601NR2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD6601NR2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD6601NR2G.pdf
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMD6601NR2G
onsemi - NTMD6601NR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD6601NR2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V  
Puissance - Max 600mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 80V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTMD66  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD6601NR2G

Attributs du produit NTMD6601NR2G NTMD5836NLR2G NTMD5838NLR2G NTMD6P02R2
Modèle de produit NTMD6601NR2G NTMD5836NLR2G NTMD5838NLR2G NTMD6P02R2
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NTMD66 NTMD58 NTMD5838 NTMD6P
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A 9A, 5.7A 7.4A -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 50nC @ 10V 17nC @ 10V -
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Puissance - Max 600mW 1.5W 2.1W -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Tension drain-source (Vdss) 80V 40V 40V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 25mOhm @ 7A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V 2120pF @ 20V 785pF @ 20V -

Fiche technique NTMD6601NR2G PDF

Téléchargez NTMD6601NR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD6601NR2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 05/Oct/2010.pdf
Feuilles de données
NTMD6601NR2G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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