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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMD4N03R2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD4N03R2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD4N03R2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD4N03R2.pdf
État RoHS
En stock: 104550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMD4N03R2G
onsemi - NTMD4N03R2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD4N03R2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTMD4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD4N03R2G

Attributs du produit NTMD4N03R2G NTMD5838NLR2G NTMD6N02R2G NTMD5836NLR2G
Modèle de produit NTMD4N03R2G NTMD5838NLR2G NTMD6N02R2G NTMD5836NLR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 40V 20V 40V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A 7.4A 3.92A 9A, 5.7A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 20V 785pF @ 20V 1100pF @ 16V 2120pF @ 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NTMD4 NTMD5838 NTMD6 NTMD58
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 2W 2.1W 730mW 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 35mOhm @ 6A, 4.5V 12mOhm @ 10A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 17nC @ 10V 20nC @ 4.5V 50nC @ 10V

Fiche technique NTMD4N03R2G PDF

Téléchargez NTMD4N03R2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD4N03R2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Conception / spécification PCN
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
NTMD4N03R2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTMD4N03R2G

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