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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD6N03R2G
NTMD6N03R2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMD6N03R2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD6N03R2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD6N03R2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD6N03R2.pdf
État RoHS
En stock: 4070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMD6N03R2G
onsemi - NTMD6N03R2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD6N03R2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 1.29W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTMD6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD6N03R2G

Attributs du produit NTMD6N03R2G NTMD6N03R2 NTMD5838NLR2G NTMD6N02R2G
Modèle de produit NTMD6N03R2G NTMD6N03R2 NTMD5838NLR2G NTMD6N02R2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 40V 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 10V 17nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 35mOhm @ 6A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V 950pF @ 24V 785pF @ 20V 1100pF @ 16V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 1.29W 1.29W 2.1W 730mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NTMD6 NTMD6 NTMD5838 NTMD6
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 6A 7.4A 3.92A

Fiche technique NTMD6N03R2G PDF

Téléchargez NTMD6N03R2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD6N03R2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
NTMD6N03R2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTMD6N03R2G

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