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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMD5836NLR2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD5836NLR2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD5836NLR2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD5836NL.pdf
En stock: 5050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMD5836NLR2G
onsemi - NTMD5836NLR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD5836NLR2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A, 5.7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTMD58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD5836NLR2G

Attributs du produit NTMD5836NLR2G NTMD4N03R2 NTMD6N03R2G NTMD6601NR2G
Modèle de produit NTMD5836NLR2G NTMD4N03R2 NTMD6N03R2G NTMD6601NR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A, 5.7A 4A 6A 1.1A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V 16nC @ 10V 30nC @ 10V 15nC @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NTMD58 NTMD4 NTMD6 NTMD66
Tension drain-source (Vdss) 40V 30V 30V 80V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V 400pF @ 20V 950pF @ 24V 400pF @ 25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Puissance - Max 1.5W 2W 1.29W 600mW
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V 60mOhm @ 4A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 215mOhm @ 2.2A, 10V
Séries - - - -

Fiche technique NTMD5836NLR2G PDF

Téléchargez NTMD5836NLR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD5836NLR2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 24/Jul/2015.pdf
Feuilles de données
NTMD5836NL.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTMD5836NLR2G

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