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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLJS4D7N03HTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLJS4D7N03HTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLJS4D7N03HTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLJS4D7N03HTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerWDFN
Fiche technique
NTLJS4D7N03HTAG.pdf
État RoHS
En stock: 4110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLJS4D7N03HTAG
onsemi - NTLJS4D7N03HTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLJS4D7N03HTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 851 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.6A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLJS4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLJS4D7N03HTAG

Attributs du produit NTLJS4D7N03HTAG NTLJS3A18PZTWG NTLJS4149PTBG NTLJS3180PZTAG
Modèle de produit NTLJS4D7N03HTAG NTLJS3A18PZTWG NTLJS4149PTBG NTLJS3180PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 19.5 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base NTLJS4 NTLJS3A NTLJS41 NTLJS31
Package / Boîte 6-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 10A, 10V 18mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 4.5A, 4.5V 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±8V ±12V ±8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 851 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 960 pF @ 15 V 1100 pF @ 16 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.6A (Ta) 5A (Ta) 2.7A (Ta) 3.5A (Ta)
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 25 V 20 V 30 V 20 V

Fiche technique NTLJS4D7N03HTAG PDF

Téléchargez NTLJS4D7N03HTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLJS4D7N03HTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 09/Jul/2020.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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