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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLJS5D0N03CTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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NTLJS5D0N03CTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLJS5D0N03CTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLJS5D0N03CTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Emballage
6-PowerWDFN
Fiche technique
NTLJS5D0N03C.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 45770

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NTLJS5D0N03CTAG
onsemi - NTLJS5D0N03CTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLJS5D0N03CTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.38mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.2A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLJS5  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLJS5D0N03CTAG

Attributs du produit NTLJS5D0N03CTAG NTLJS3D9N03CTAG NTLJS4114NT1G NTLTS3107PR2G
Modèle de produit NTLJS5D0N03CTAG NTLJS3D9N03CTAG NTLJS4114NT1G NTLTS3107PR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 15 V 1565 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V -
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta) 860mW (Ta) 700mW (Ta) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.38mOhm @ 10A, 10V 4.9mOhm @ 10A, 4.5V 35mOhm @ 2A, 4.5V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package / Boîte 6-PowerWDFN 6-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad -
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.2A (Ta) 10.3A (Ta) 3.6A (Ta) -
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-WDFN (2x2) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 14.7 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - µCool™ -
Numéro de produit de base NTLJS5 NTLJS3 NTLJS4114 NTLTS31

Fiche technique NTLJS5D0N03CTAG PDF

Téléchargez NTLJS5D0N03CTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLJS5D0N03CTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Feuilles de données
NTLJS5D0N03C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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