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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU9N25TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU9N25TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU9N25TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU9N25TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQU9N25TU.pdf
État RoHS
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU9N25TU
onsemi - FQU9N25TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU9N25TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU9N25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU9N25TU

Attributs du produit FQU9N25TU FQU6N40CTU FQU8P10TU FQU7N20TU
Modèle de produit FQU9N25TU FQU6N40CTU FQU8P10TU FQU7N20TU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 400 V 100 V 200 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base FQU9N25 FQU6 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A (Tc) 4.5A (Tc) 6.6A (Tc) 5.3A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V

Fiche technique FQU9N25TU PDF

Téléchargez FQU9N25TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU9N25TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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