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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU7N20TU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU7N20TU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQU7N20TU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQU7N20TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQU7N20TU.pdf
État RoHS
En stock: 46840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU7N20TU
Fairchild Semiconductor - FQU7N20TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQU7N20TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQU7N20TU

Attributs du produit FQU7N20TU FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
Modèle de produit FQU7N20TU FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 200 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc) 4.5A (Tc) 5.3A (Tc) 6.6A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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