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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU7N20TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU7N20TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU7N20TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU7N20TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQD7N20, FQU7N20.pdf
En stock: 4820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU7N20TU
onsemi - FQU7N20TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU7N20TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU7N20TU

Attributs du produit FQU7N20TU FQU6N40CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
Modèle de produit FQU7N20TU FQU6N40CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQU7 - - FQU8P10
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc) 4.5A (Tc) 5.3A (Tc) 6.6A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 400 V 200 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique FQU7N20TU PDF

Téléchargez FQU7N20TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU7N20TU - onsemi.

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onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD7N20, FQU7N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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