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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU6N50CTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU6N50CTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU6N50CTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU6N50CTU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQD6N50C, FQU6N50C.pdf
En stock: 4900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU6N50CTU
onsemi - FQU6N50CTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU6N50CTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 61W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU6N50CTU

Attributs du produit FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU7N20TU FQU5N60CTU
Modèle de produit FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU7N20TU FQU5N60CTU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FQU6 FQU7 - FQU5N60
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 5.3A (Tc) 5.3A (Tc) 2.8A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 61W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 200 V 200 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FQU6N50CTU PDF

Téléchargez FQU6N50CTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU6N50CTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD6N50C, FQU6N50C.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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