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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFQS4901TF
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FQS4901TF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQS4901TF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQS4901TF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FQS4901.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4100

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQS4901TF
onsemi - FQS4901TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQS4901TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 400V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FQS4901  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQS4901TF

Attributs du produit FQS4901TF BSO615CGHUMA1 FQS4903TF STS4DPF20L
Modèle de produit FQS4901TF BSO615CGHUMA1 FQS4903TF STS4DPF20L
Fabricant onsemi Infineon Technologies onsemi STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 400V 60V 500V 20V
Numéro de produit de base FQS4901 BSO615 FQS4903 STS4D
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries QFET® SIPMOS® QFET® STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V 110mOhm @ 3.1A, 10V 6.2Ohm @ 185mA, 10V 80mOhm @ 2A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V 22.5nC @ 10V 8.2nC @ 10V 16nC @ 5V
Puissance - Max 2W 2W 2W 1.6W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V 380pF @ 25V 200pF @ 25V 1350pF @ 25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA 3.1A, 2A 370mA 4A
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 20µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SOIC PG-DSO-8 8-SOIC 8-SOIC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate

Fiche technique FQS4901TF PDF

Téléchargez FQS4901TF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQS4901TF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Device Marking Update 02/Jul/2015.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FQS4901.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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