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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFQS4901TF
FQS4901TF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQS4901TF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQS4901TF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQS4901TF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FQS4901.pdf
État RoHS
En stock: 4100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQS4901TF
onsemi - FQS4901TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQS4901TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 400V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FQS4901  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQS4901TF

Attributs du produit FQS4901TF FQS4900TF SSD2009ATF IPG20N06S4L14AATMA1
Modèle de produit FQS4901TF FQS4900TF SSD2009ATF IPG20N06S4L14AATMA1
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 400V 60V, 300V 50V 60V
Numéro de produit de base FQS4901 FQS4900 SSD2009 IPG20N
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN
Séries QFET® QFET® - Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V 550mOhm @ 650mA, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 13.7mOhm @ 17A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V 2.1nC @ 5V 25nC @ 10V 39nC @ 10V
Puissance - Max 2W 2W 2W 50W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V - - 2890pF @ 25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA 1.3A, 300mA 3A 20A
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.95V @ 20mA 3V @ 250µA 2.2V @ 20µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC PG-TDSON-8-10
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate

Fiche technique FQS4901TF PDF

Téléchargez FQS4901TF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQS4901TF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Device Marking Update 02/Jul/2015.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FQS4901.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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