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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFQS4901TF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FQS4901TF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQS4901TF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQS4901TF
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FQS4901TF.pdf
Notre certification
En stock: 4000

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQS4901TF
Fairchild Semiconductor - FQS4901TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQS4901TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 400V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FQS4901  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQS4901TF

Attributs du produit FQS4901TF FDG8850NZ 2N7002BKS,115 SI4920DY-T1-E3
Modèle de produit FQS4901TF FDG8850NZ 2N7002BKS,115 SI4920DY-T1-E3
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Nexperia USA Inc. Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA 750mA 300mA -
Séries QFET® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ TrenchFET®
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 225mA, 10V 400mOhm @ 750mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 6.9A, 10V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base FQS4901 FDG8850 2N7002 SI4920
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V 1.44nC @ 4.5V 0.6nC @ 4.5V 23nC @ 5V
Tension drain-source (Vdss) 400V 30V 60V 30V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SOIC SC-88 (SC-70-6) 6-TSSOP 8-SOIC
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max 2W 300mW 295mW 2W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V 120pF @ 10V 50pF @ 10V -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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