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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC8882
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC8882 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC8882
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC8882
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC8882.pdf
État RoHS
En stock: 93080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC8882
onsemi - FDMC8882 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC8882

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC8882

Attributs du produit FDMC8882 FDMC8884 FDMC8884 FDMC8854
Modèle de produit FDMC8882 FDMC8884 FDMC8884 FDMC8854
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 15A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 3405 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDMC88 - FDMC88 FDMC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 10.5A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDMC8882 PDF

Téléchargez FDMC8882 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC8882 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDMC8882.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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