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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA59N25
FDA59N25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA59N25 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDA59N25
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDA59N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA59N25.pdf
État RoHS
En stock: 22981

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA59N25
onsemi - FDA59N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDA59N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 29.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 392W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc)  
Numéro de produit de base FDA59  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDA59N25

Attributs du produit FDA59N25 FDA38N30 FDA59N30 FDA70N20
Modèle de produit FDA59N25 FDA38N30 FDA59N30 FDA70N20
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc) 38A (Tc) 59A (Tc) 70A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 29.5A, 10V 85mOhm @ 19A, 10V 56mOhm @ 29.5A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDA59 - - FDA70
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 250 V 300 V 300 V 200 V
Dissipation de puissance (max) 392W (Tc) 312W (Tc) 500W (Tc) 417W (Tc)

Fiche technique FDA59N25 PDF

Téléchargez FDA59N25 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDA59N25 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FDA59N25.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FDA59N25

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