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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA69N25
FDA69N25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA69N25 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDA69N25
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDA69N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA69N25.pdf
État RoHS
En stock: 24895

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA69N25
onsemi - FDA69N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDA69N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 34.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 69A (Tc)  
Numéro de produit de base FDA69  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDA69N25

Attributs du produit FDA69N25 FDA8440 FDA70N20 FDA75N28
Modèle de produit FDA69N25 FDA8440 FDA70N20 FDA75N28
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 69A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc) 70A (Tc) 75A (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 34.5A, 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V
Numéro de produit de base FDA69 FDA84 - FDA75
Séries UniFET™ PowerTrench® UniFET™ UniFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4640 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc) 306W (Tc) 417W (Tc) 520W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 40 V 200 V 280 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FDA69N25 PDF

Téléchargez FDA69N25 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDA69N25 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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