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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA33N25
FDA33N25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA33N25 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDA33N25
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDA33N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA33N25.pdf
État RoHS
En stock: 20834

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA33N25
onsemi - FDA33N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDA33N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 245W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base FDA33  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDA33N25

Attributs du produit FDA33N25 FDA24N40F FDA24N40F FDA28N50
Modèle de produit FDA33N25 FDA24N40F FDA24N40F FDA28N50
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 5140 pF @ 25 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V 190mOhm @ 11.5A, 10V 190mOhm @ 11.5A, 10V 155mOhm @ 14A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46.8 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Dissipation de puissance (max) 245W (Tc) 235W (Tc) 235W (Tc) 310W (Tc)
Numéro de produit de base FDA33 - FDA24 FDA28
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 250 V 400 V 400 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique FDA33N25 PDF

Téléchargez FDA33N25 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDA33N25 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
FDYYY 20/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
FDA33N25.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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