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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA62N28
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA62N28 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDA62N28
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDA62N28
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA62N28.pdf
État RoHS
En stock: 11647

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA62N28
Fairchild Semiconductor - FDA62N28 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDA62N28

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4630 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 280 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDA62N28

Attributs du produit FDA62N28 FDA59N25 FDA62N28 FDA70N20
Modèle de produit FDA62N28 FDA59N25 FDA62N28 FDA70N20
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 392W (Tc) 500W (Tc) 417W (Tc)
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 280 V 250 V 280 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Tc) 59A (Tc) 62A (Tc) 70A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 31A, 10V 49mOhm @ 29.5A, 10V 51mOhm @ 31A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4630 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V 4630 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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