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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA28N50
FDA28N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA28N50 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDA28N50
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDA28N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA28N50.pdf
État RoHS
En stock: 19296

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA28N50
onsemi - FDA28N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDA28N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base FDA28  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDA28N50

Attributs du produit FDA28N50 FDA33N25 FDA28N50F FDA24N50F
Modèle de produit FDA28N50 FDA33N25 FDA28N50F FDA24N50F
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 33A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc)
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base FDA28 FDA33 FDA28 FDA24
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 5387 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 245W (Tc) 310W (Tc) 270W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 250 V 500 V 500 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 14A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 175mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 12A, 10V
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 46.8 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V

Fiche technique FDA28N50 PDF

Téléchargez FDA28N50 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDA28N50 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FDA28N50.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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