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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA24N50F
FDA24N50F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA24N50F - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDA24N50F
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDA24N50F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA24N50F.pdf
État RoHS
En stock: 17623

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA24N50F
onsemi - FDA24N50F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDA24N50F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FDA24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDA24N50F

Attributs du produit FDA24N50F FDA50N50 FDA24N50 FDA28N50F
Modèle de produit FDA24N50F FDA50N50 FDA24N50 FDA28N50F
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc) 625W (Tc) 270W (Tc) 310W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 5387 pF @ 25 V
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 48A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 10V 105mOhm @ 24A, 10V 190mOhm @ 12A, 10V 175mOhm @ 14A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base FDA24 - FDA24 FDA28
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique FDA24N50F PDF

Téléchargez FDA24N50F PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDA24N50F - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FDA24N50F.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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