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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP125N65S3R0
FCP125N65S3R0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP125N65S3R0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP125N65S3R0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP125N65S3R0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FCP125N65S3R0.pdf
État RoHS
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP125N65S3R0
onsemi - FCP125N65S3R0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP125N65S3R0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 181W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP125  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP125N65S3R0

Attributs du produit FCP125N65S3R0 FCP130N60 FCP11N60N FCP130N60
Modèle de produit FCP125N65S3R0 FCP130N60 FCP11N60N FCP130N60
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Séries SuperFET® III SuperFET® II SupreMOS™ SuperFET® II
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 400 V 3590 pF @ 380 V 1505 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 28A (Tc) 10.8A (Tc) 28A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FCP125 FCP130 - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 181W (Tc) 278W (Tc) 94W (Tc) 278W (Tc)

Fiche technique FCP125N65S3R0 PDF

Téléchargez FCP125N65S3R0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP125N65S3R0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Feuilles de données
FCP125N65S3R0.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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