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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleC3M0120090J
Wolfspeed, Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

C3M0120090J - Wolfspeed, Inc.

Fabricant Modèle de produit
C3M0120090J
Fabricant
Wolfspeed
Allelco Modèle de produit
32D-C3M0120090J
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Description détaillée
Emballage
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fiche technique
C3M0120090J.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4688

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques C3M0120090J
Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Wolfspeed  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) +18V, -8V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-263-7  
Séries C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base C3M0120090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Wolfspeed, Inc. C3M0120090J

Attributs du produit C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
Modèle de produit C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
Fabricant Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Numéro de produit de base C3M0120090 C3M0280090 C3M0075120 C3M0075120
Séries C3M™ C3M™ C3M™ C3M™
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 54W (Tc) 113.6W (Tc) 113.6W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V 9.5 nC @ 15 V 51 nC @ 15 V 54 nC @ 15 V
Package composant fournisseur TO-263-7 TO-247-3 TO-247-4L TO-247-3
Vgs (Max) +18V, -8V +18V, -8V +19V, -8V +19V, -8V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA 3.5V @ 1.2mA 4V @ 5mA 4V @ 5mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V 15V 15V 15V
Package / Boîte TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V 150 pF @ 600 V 1350 pF @ 1000 V 1350 pF @ 1000 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V 360mOhm @ 7.5A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 11.5A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 900 V 1200 V 1200 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique C3M0120090J PDF

Téléchargez C3M0120090J PDF DataSheets et Documentation Wolfspeed, Inc. pour C3M0120090J - Wolfspeed, Inc..

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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