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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleC3M0075120K
Wolfspeed, Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

C3M0075120K - Wolfspeed, Inc.

Fabricant Modèle de produit
C3M0075120K
Fabricant
Wolfspeed
Allelco Modèle de produit
32D-C3M0075120K
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Description détaillée
Emballage
TO-247-4
Fiche technique
C3M0075120K.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 3835

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques C3M0075120K
Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Wolfspeed  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) +19V, -8V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-4L  
Séries C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 113.6W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-4  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 1000 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base C3M0075120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Wolfspeed, Inc. C3M0075120K

Attributs du produit C3M0075120K STB42N65M5 C3M0060065K C3M0032120D
Modèle de produit C3M0075120K STB42N65M5 C3M0060065K C3M0032120D
Fabricant Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Dissipation de puissance (max) 113.6W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 283W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 33A (Tc) 37A (Tc) 63A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V 10V 15V 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 1000 V 4650 pF @ 100 V 1020 pF @ 600 V 3357 pF @ 1000 V
Vgs (Max) +19V, -8V ±25V +15V, -4V +15V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V 79mOhm @ 16.5A, 10V 79mOhm @ 13.2A, 15V 43mOhm @ 40A, 15V
Séries C3M™ MDmesh™ V C3M™ C3M™
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 5V @ 250µA 3.6V @ 5mA 3.6V @ 11.5mA
Package composant fournisseur TO-247-4L D2PAK TO-247-4L TO-247-3
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-4 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-4 TO-247-3
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V 100 nC @ 10 V 46 nC @ 15 V 114 nC @ 15 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 650 V 650 V 1200 V
Numéro de produit de base C3M0075120 STB42 C3M0060065 C3M0032120

Fiche technique C3M0075120K PDF

Téléchargez C3M0075120K PDF DataSheets et Documentation Wolfspeed, Inc. pour C3M0075120K - Wolfspeed, Inc..

Emballage PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
C3M0075120K.pdf
Conception / spécification PCN
C3M00y Design Chg Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mosfet Wafer Dia Chg Jan/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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