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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleC3M0065090D
Wolfspeed, Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

C3M0065090D - Wolfspeed, Inc.

Fabricant Modèle de produit
C3M0065090D
Fabricant
Wolfspeed
Allelco Modèle de produit
32D-C3M0065090D
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
C3M0065090D.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 3246

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques C3M0065090D
Wolfspeed, Inc. - C3M0065090D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Wolfspeed, Inc. - C3M0065090D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Wolfspeed  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 5mA  
Vgs (Max) +18V, -8V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30.4 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base C3M0065090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Wolfspeed, Inc. C3M0065090D

Attributs du produit C3M0065090D C3M0015065K FDMS8050 IRLU120PBF
Modèle de produit C3M0065090D C3M0015065K FDMS8050 IRLU120PBF
Fabricant Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. onsemi Vishay Siliconix
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-4L 8-PQFN (5x6) TO-251AA
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-4 8-PowerTDFN TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 416W (Tc) 156W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V 15V 4.5V, 10V 4V, 5V
Numéro de produit de base C3M0065090 C3M0015065 FDMS80 IRLU120
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 120A (Tc) 55A (Tc) 7.7A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 650 V 30 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 5mA 3.6V @ 15.5mA 3V @ 750µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) +18V, -8V +15V, -4V ±20V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V 21mOhm @ 55.8A, 15V 0.65mOhm @ 55A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30.4 nC @ 15 V 188 nC @ 15 V 285 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V 5011 pF @ 400 V 22610 pF @ 15 V 490 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Séries C3M™ C3M™ - -
Fonction FET - - - -

Fiche technique C3M0065090D PDF

Téléchargez C3M0065090D PDF DataSheets et Documentation Wolfspeed, Inc. pour C3M0065090D - Wolfspeed, Inc..

Emballage PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
C3M0065090D.pdf
Assemblage / origine PCN
C3M0065090Y 18/Jun/2019.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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