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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleC2M0160120D
Wolfspeed, Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

C2M0160120D - Wolfspeed, Inc.

Fabricant Modèle de produit
C2M0160120D
Fabricant
Wolfspeed
Allelco Modèle de produit
32D-C2M0160120D
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
C2M0160120D.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 5122

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques C2M0160120D
Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Wolfspeed  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA  
Vgs (Max) +25V, -10V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries Z-FET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 800 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)  
Numéro de produit de base C2M0160120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Wolfspeed, Inc. C2M0160120D

Attributs du produit C2M0160120D SPD04N60C2 SI4890BDY-T1-E3 MTP2P50EG
Modèle de produit C2M0160120D SPD04N60C2 SI4890BDY-T1-E3 MTP2P50EG
Fabricant Wolfspeed, Inc. Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA 5.5V @ 200µA 2.6V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 4.5V, 10V 10V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base C2M0160120 - SI4890 MTP2P
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 75W (Tc)
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 20 V 22.9 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V 950mOhm @ 2.8A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 6Ohm @ 1A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 30 V 500 V
Vgs (Max) +25V, -10V ±20V ±25V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 800 V 580 pF @ 25 V 1535 pF @ 15 V 1183 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package composant fournisseur TO-247-3 PG-TO252-3-1 8-SOIC TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc) 4.5A (Tc) 16A (Tc) 2A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Séries Z-FET™ CoolMOS™ TrenchFET® -

Fiche technique C2M0160120D PDF

Téléchargez C2M0160120D PDF DataSheets et Documentation Wolfspeed, Inc. pour C2M0160120D - Wolfspeed, Inc..

Emballage PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
C2M0160120D.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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