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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleC2M0280120D
Wolfspeed, Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

C2M0280120D - Wolfspeed, Inc.

Fabricant Modèle de produit
C2M0280120D
Fabricant
Wolfspeed
Allelco Modèle de produit
32D-C2M0280120D
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
C2M0280120D.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 5913

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques C2M0280120D
Wolfspeed, Inc. - C2M0280120D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Wolfspeed, Inc. - C2M0280120D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Wolfspeed  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1.25mA (Typ)  
Vgs (Max) +25V, -10V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries Z-FET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 6A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 259 pF @ 1000 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base C2M0280120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Wolfspeed, Inc. C2M0280120D

Attributs du produit C2M0280120D RFP3055 IRF9540NPBF RSS100N03TB
Modèle de produit C2M0280120D RFP3055 IRF9540NPBF RSS100N03TB
Fabricant Wolfspeed, Inc. onsemi Infineon Technologies Rohm Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 6A, 20V 150mOhm @ 12A, 10V 117mOhm @ 11A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1.25mA (Typ) 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 60 V 100 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 12A (Tc) 23A (Tc) 10A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-220-3 TO-220AB 8-SOP
Package / Boîte TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) +25V, -10V ±20V ±20V 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 259 pF @ 1000 V 300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1070 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 10V 4V, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 20 V 23 nC @ 20 V 97 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc) 53W (Tc) 140W (Tc) 2W (Ta)
Fonction FET - - - -
Séries Z-FET™ - HEXFET® -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base C2M0280120 RFP30 IRF9540 RSS100

Fiche technique C2M0280120D PDF

Téléchargez C2M0280120D PDF DataSheets et Documentation Wolfspeed, Inc. pour C2M0280120D - Wolfspeed, Inc..

Emballage PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
C2M0280120D.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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