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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMTP2P50EG
MTP2P50EG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MTP2P50EG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MTP2P50EG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MTP2P50EG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
MTP2P50E.pdf
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MTP2P50EG
onsemi - MTP2P50EG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MTP2P50EG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1183 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base MTP2P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MTP2P50EG

Attributs du produit MTP2P50EG MTP2P50E MTP2955V MTP3055V
Modèle de produit MTP2P50EG MTP2P50E MTP2955V MTP3055V
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V 6Ohm @ 1A, 10V 230mOhm @ 6A, 10V 150mOhm @ 6A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1183 pF @ 25 V 1183 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base MTP2P MTP2P MTP29 MTP30
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 2A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 60W (Tc) 48W (Tc)

Fiche technique MTP2P50EG PDF

Téléchargez MTP2P50EG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MTP2P50EG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 17/Apr/2015.pdf
Conception / spécification PCN
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
MTP2P50E.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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