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NXPSC10650B6J - WeEn Semiconductors

Fabricant Modèle de produit
NXPSC10650B6J
Fabricant
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modèle de produit
32D-NXPSC10650B6J
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NXPSC10650B.pdf
Notre certification
En stock: 9219

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NXPSC10650B6J
WeEn Semiconductors - NXPSC10650B6J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à WeEn Semiconductors - NXPSC10650B6J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur D2PAK  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 250 µA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A  
Capacité à Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base NXPSC  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J

Attributs du produit NXPSC10650B6J NXPSC04650B6J NXPSC04650DJ NXPSC10650Q
Modèle de produit NXPSC10650B6J NXPSC04650B6J NXPSC04650DJ NXPSC10650Q
Fabricant WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-2
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A 4A 4A 10A
Courant - fuite, inverse à Vr 250 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 250 µA @ 650 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 10 A
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK DPAK TO-220AC
Capacité à Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 300pF @ 1V, 1MHz
Numéro de produit de base NXPSC NXPSC NXPSC NXPSC
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns

Fiche technique NXPSC10650B6J PDF

Téléchargez NXPSC10650B6J PDF DataSheets et Documentation WeEn Semiconductors pour NXPSC10650B6J - WeEn Semiconductors.

Emballage PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
NXPSC10650B.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL PCN_2023030004DN 24/Mar/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 23/Sep/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXPSC10650B6J

WeEn Semiconductors
32D-NXPSC10650B6J

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