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NXPSC04650DJ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NXPSC04650DJ - WeEn Semiconductors

Fabricant Modèle de produit
NXPSC04650DJ
Fabricant
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modèle de produit
32D-NXPSC04650DJ
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NXPSC04650D.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 3870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NXPSC04650DJ
WeEn Semiconductors - NXPSC04650DJ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à WeEn Semiconductors - NXPSC04650DJ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 4 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur DPAK  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 170 µA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A  
Capacité à Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base NXPSC  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de WeEn Semiconductors NXPSC04650DJ

Attributs du produit NXPSC04650DJ NXPSC04650D6J NXPSC04650B6J NXPSC08650Q
Modèle de produit NXPSC04650DJ NXPSC04650D6J NXPSC04650B6J NXPSC08650Q
Fabricant WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 8 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A 4A 4A 8A
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Courant - fuite, inverse à Vr 170 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 230 µA @ 650 V
Numéro de produit de base NXPSC NXPSC NXPSC NXPSC
Package composant fournisseur DPAK DPAK D2PAK TO-220AC
Capacité à Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 260pF @ 1V, 1MHz
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2

Fiche technique NXPSC04650DJ PDF

Téléchargez NXPSC04650DJ PDF DataSheets et Documentation WeEn Semiconductors pour NXPSC04650DJ - WeEn Semiconductors.

Emballage PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
NXPSC04650D.pdf
Assemblage / origine PCN
Diodes 1-20-23.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Adv Status Notice 28/Sep/2018.pdf Mult Dev Wafer Status 28/Sep/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXPSC04650DJ

WeEn Semiconductors
32D-NXPSC04650DJ

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