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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleNXPSC04650D6J
NXPSC04650D6J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NXPSC04650D6J - WeEn Semiconductors

Fabricant Modèle de produit
NXPSC04650D6J
Fabricant
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modèle de produit
32D-NXPSC04650D6J
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NXPSC04650D.pdf
En stock: 12848

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NXPSC04650D6J
WeEn Semiconductors - NXPSC04650D6J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à WeEn Semiconductors - NXPSC04650D6J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 4 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur DPAK  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 170 µA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A  
Capacité à Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base NXPSC  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J

Attributs du produit NXPSC04650D6J NXPSC04650DJ NXPSC04650B6J NXPSC08650Q
Modèle de produit NXPSC04650D6J NXPSC04650DJ NXPSC04650B6J NXPSC08650Q
Fabricant WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
Package composant fournisseur DPAK DPAK D2PAK TO-220AC
Numéro de produit de base NXPSC NXPSC NXPSC NXPSC
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A 4A 4A 8A
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Capacité à Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 260pF @ 1V, 1MHz
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr 170 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 230 µA @ 650 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 8 A

Fiche technique NXPSC04650D6J PDF

Téléchargez NXPSC04650D6J PDF DataSheets et Documentation WeEn Semiconductors pour NXPSC04650D6J - WeEn Semiconductors.

Emballage PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL PCN_2023030004DN 24/Mar/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 23/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
NXPSC04650D.pdf

Mode de transport

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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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