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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVQ1001P
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VQ1001P - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
VQ1001P
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-VQ1001P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
VQ1001J/P.pdf
En stock: 4880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VQ1001P
Vishay Siliconix - VQ1001P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - VQ1001P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 14-DIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte -  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 830mA  
Configuration 4 N-Channel  
Numéro de produit de base VQ1001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix VQ1001P

Attributs du produit VQ1001P SI7904BDN-T1-E3 IRF7343PBF CSD87501L
Modèle de produit VQ1001P SI7904BDN-T1-E3 IRF7343PBF CSD87501L
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Texas Instruments
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V 860pF @ 10V 740pF @ 25V -
Numéro de produit de base VQ1001 SI7904 IRF734 CSD87501
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 55V -
Package / Boîte - PowerPAK® 1212-8 Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 10-XFLGA
Package composant fournisseur 14-DIP PowerPAK® 1212-8 Dual 8-SO 10-Picostar (3.37x1.47)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 24nC @ 8V 36nC @ 10V 40nC @ 10V
Configuration 4 N-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 830mA 6A 4.7A, 3.4A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V 30mOhm @ 7.1A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V -
Puissance - Max 2W 17.8W 2W 2.5W
Séries - TrenchFET® HEXFET® NexFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique VQ1001P PDF

Téléchargez VQ1001P PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour VQ1001P - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Feuilles de données
VQ1001J/P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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