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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVQ1006P
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VQ1006P - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
VQ1006P
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-VQ1006P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
VN0808L/LS,VQ1006P.pdf
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VQ1006P
Vishay Siliconix - VQ1006P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - VQ1006P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 14-DIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte -  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 90V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 400mA  
Configuration 4 N-Channel  
Numéro de produit de base VQ1006  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix VQ1006P

Attributs du produit VQ1006P VQ1001P-2 SI4542DY FDC6333C
Modèle de produit VQ1006P VQ1001P-2 SI4542DY FDC6333C
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi onsemi
Séries - - PowerTrench® PowerTrench®
Puissance - Max 2W 2W 1W 700mW
Package / Boîte - - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package composant fournisseur 14-DIP 14-DIP 8-SOIC SuperSOT™-6
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - 13nC @ 5V 6.6nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V 1.75Ohm @ 200mA, 5V 28mOhm @ 6A, 10V 95mOhm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 400mA 830mA 6A 2.5A, 2A
Tension drain-source (Vdss) 90V 30V 30V 30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V 110pF @ 15V 830pF @ 15V 282pF @ 15V
Numéro de produit de base VQ1006 VQ1001 SI4542 FDC6333
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Configuration 4 N-Channel 4 N-Channel N and P-Channel N and P-Channel

Fiche technique VQ1006P PDF

Téléchargez VQ1006P PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour VQ1006P - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Feuilles de données
VN0808L/LS,VQ1006P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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