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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7343PBF
IRF7343PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7343PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7343PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7343PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7343PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7343PBF
Infineon Technologies - IRF7343PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7343PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 55V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF734  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7343PBF

Attributs du produit IRF7343PBF IRF7343QTRPBF IRF7342PBF IRF7342TRPBF
Modèle de produit IRF7343PBF IRF7343QTRPBF IRF7342PBF IRF7342TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V 38nC @ 10V 38nC @ 10V
Numéro de produit de base IRF734 IRF734 IRF734 IRF734
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A 4.7A, 3.4A 3.4A 3.4A
Tension drain-source (Vdss) 55V 55V 55V 55V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 740pF @ 25V 690pF @ 25V 690pF @ 25V

Fiche technique IRF7343PBF PDF

Téléchargez IRF7343PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7343PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018.pdf
Emballage PCN
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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