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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN0200K-T1-E3
TN0200K-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
TN0200K-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-TN0200K-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TN0200K.pdf
État RoHS
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN0200K-T1-E3
Vishay Siliconix - TN0200K-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - TN0200K-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 730mA (Ta)  
Numéro de produit de base TN0200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix TN0200K-T1-E3

Attributs du produit TN0200K-T1-E3 TN0106N3-G-P003 TN0104N8-G TN0104N3-G
Modèle de produit TN0200K-T1-E3 TN0106N3-G-P003 TN0104N8-G TN0104N3-G
Fabricant Vishay Siliconix Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA 2V @ 500µA 1.6V @ 500µA 1.6V @ 500µA
Numéro de produit de base TN0200 TN0106 TN0104 TN0104
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 730mA (Ta) 350mA (Tj) 630mA (Tj) 450mA (Ta)
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3 TO-243AA (SOT-89) TO-92-3
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V 40 V 40 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V 3Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 1A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Fiche technique TN0200K-T1-E3 PDF

Téléchargez TN0200K-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
TN0200K.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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