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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN0104N3-G-P014
TN0104N3-G-P014 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN0104N3-G-P014 - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TN0104N3-G-P014
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TN0104N3-G-P014
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
TN0104.pdf
État RoHS
En stock: 37140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN0104N3-G-P014
Microchip Technology - TN0104N3-G-P014 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN0104N3-G-P014

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Tape & Box (TB)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA (Ta)  
Numéro de produit de base TN0104  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN0104N3-G-P014

Attributs du produit TN0104N3-G-P014 TN0201K-T1-E3 TN0200K-T1-E3 TN0104N3-G
Modèle de produit TN0104N3-G-P014 TN0201K-T1-E3 TN0200K-T1-E3 TN0104N3-G
Fabricant Microchip Technology Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microchip Technology
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA (Ta) 420mA (Ta) 730mA (Ta) 450mA (Ta)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Séries - TrenchFET® - -
Emballer Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bag
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA 3V @ 250µA 1V @ 50µA 1.6V @ 500µA
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc) 350mW (Ta) - 1W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V - - 70 pF @ 20 V
Package composant fournisseur TO-92-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base TN0104 TN0201 TN0200 TN0104
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 10V 4.5V, 10V - 3V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 20 V 20 V 40 V

Fiche technique TN0104N3-G-P014 PDF

Téléchargez TN0104N3-G-P014 PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TN0104N3-G-P014 - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Material 11/Oct/2019.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Feuilles de données
TN0104.pdf
Conception / spécification PCN
TN0104 25/Jun/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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