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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN0106N3-G-P003
TN0106N3-G-P003 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN0106N3-G-P003 - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TN0106N3-G-P003
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TN0106N3-G-P003
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
TN0106N3-G-P003.pdf
État RoHS
En stock: 54880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN0106N3-G-P003
Microchip Technology - TN0106N3-G-P003 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN0106N3-G-P003

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Tj)  
Numéro de produit de base TN0106  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN0106N3-G-P003

Attributs du produit TN0106N3-G-P003 TN0201K-T1-E3 TN0106N3-G TN0200K-T1-E3
Modèle de produit TN0106N3-G-P003 TN0201K-T1-E3 TN0106N3-G TN0200K-T1-E3
Fabricant Microchip Technology Vishay Siliconix Microchip Technology Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V - 60 pF @ 25 V -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base TN0106 TN0201 TN0106 TN0200
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Tj) 420mA (Ta) 350mA (Tj) 730mA (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 20 V 60 V 20 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag Cut Tape (CT)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA 3V @ 250µA 2V @ 500µA 1V @ 50µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur TO-92-3 SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3 SOT-23-3 (TO-236)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Séries - TrenchFET® - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc) 350mW (Ta) 1W (Tc) -

Fiche technique TN0106N3-G-P003 PDF

Téléchargez TN0106N3-G-P003 PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TN0106N3-G-P003 - Microchip Technology.

Emballage PCN
Packing Changes 10/Oct/2016.pdf Packing Material 11/Oct/2019.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Conception / spécification PCN
TN0106 21/Sep/2020.pdf

Mode de transport

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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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