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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI7220DN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7220DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7220DN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7220DN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8 Dual
Fiche technique
SI7220DN-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 39770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7220DN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V  
Puissance - Max 1.3W  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI7220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7220DN-T1-E3

Attributs du produit SI7220DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-GE3
Modèle de produit SI7220DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V 26.4mOhm @ 8A, 10V 35mOhm @ 6.5A, 10V 25mOhm @ 8A, 10V
Puissance - Max 1.3W 2.6W (Ta), 23W (Tc) 17.8W, 23W 23W
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Séries TrenchFET® TrenchFET® Gen III TrenchFET® TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V 30V 30V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base SI7220 SI7223 SI7224 SI7218
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 40nC @ 10V 14.5nC @ 10V 17nC @ 10V
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A 6A (Tc) 6A 24A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1425pF @ 15V 570pF @ 15V 700pF @ 15V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SI7220DN-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7220DN-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7220DN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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