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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI7216DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7216DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7216DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7216DN-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8 Dual
Fiche technique
Si7216DN.pdf
État RoHS
En stock: 41890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7216DN-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI7216DN-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7216DN-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 20.8W  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI7216  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3

Attributs du produit SI7216DN-T1-GE3 SI7214DN-T1-E3 SI7214DN-T1-GE3 SI7218DN-T1-GE3
Modèle de produit SI7216DN-T1-GE3 SI7214DN-T1-E3 SI7214DN-T1-GE3 SI7218DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 20V - - 700pF @ 15V
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 4.6A 4.6A 24A
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 20.8W 1.3W 1.3W 23W
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 40V 30V 30V 30V
Numéro de produit de base SI7216 SI7214 SI7214 SI7218
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V 6.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V 17nC @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V 40mOhm @ 6.4A, 10V 40mOhm @ 6.4A, 10V 25mOhm @ 8A, 10V

Fiche technique SI7216DN-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI7216DN-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7216DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
Si7216DN.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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