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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI7222DN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7222DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7222DN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7222DN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8 Dual
Fiche technique
SI7222DN-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7222DN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7222DN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7222DN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V  
Puissance - Max 17.8W  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI7222  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7222DN-T1-E3

Attributs du produit SI7222DN-T1-E3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-E3 SI7228DN-T1-GE3
Modèle de produit SI7222DN-T1-E3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-E3 SI7228DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 6A 24A 26A
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V 35mOhm @ 6.5A, 10V 25mOhm @ 8A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V 30V 30V 30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 17.8W 17.8W, 23W 23W 23W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 14.5nC @ 10V 17nC @ 10V 13nC @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V 570pF @ 15V 700pF @ 15V 480pF @ 15V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base SI7222 SI7224 SI7218 SI7228
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual

Fiche technique SI7222DN-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7222DN-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7222DN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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