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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5935CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SI5935CDC-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5935CDC-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5935CDC-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5935CDC-T1-GE3.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 186560

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI5935CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI5935CDC-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5935CDC-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.1A, 4.5V  
Puissance - Max 3.1W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI5935  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-GE3

Attributs du produit SI5935CDC-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 SI5936DU-T1-GE3
Modèle de produit SI5935CDC-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 SI5936DU-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 3.1W 1.1W 10W 10.4W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V 8.5nC @ 4.5V 6.6nC @ 10V 11nC @ 10V
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V - 210pF @ 20V 320pF @ 15V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base SI5935 SI5935 SI5944 SI5936
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A 3A 6A 6A
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 40V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.1A, 4.5V 86mOhm @ 3A, 4.5V 112mOhm @ 3.3A, 10V 30mOhm @ 5A, 10V

Fiche technique SI5935CDC-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI5935CDC-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5935CDC-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Informations environnementales
Material Compliance.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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