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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5935DC-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5935DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5935DC-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5935DC-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5935DC.pdf
État RoHS
En stock: 4100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5935DC-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 3A, 4.5V  
Puissance - Max 1.1W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI5935  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5935DC-T1-E3

Attributs du produit SI5935DC-T1-E3 SI5936DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3
Modèle de produit SI5935DC-T1-E3 SI5936DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V 11nC @ 10V 11nC @ 5V 17nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 3A, 4.5V 30mOhm @ 5A, 10V 100mOhm @ 3.1A, 4.5V 58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 1.1W 10.4W 3.1W 10.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 6A 4A 6A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 320pF @ 15V 455pF @ 10V 480pF @ 10V
Numéro de produit de base SI5935 SI5936 SI5935 SI5947
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SI5935DC-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5935DC-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5935DC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

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Material Compliance.pdf
Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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