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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5515DC-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5515DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5515DC-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5515DC-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5515DC-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5515DC-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V  
Puissance - Max 1.1W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A, 3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI5515  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5515DC-T1-E3

Attributs du produit SI5515DC-T1-E3 SI5511DC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 SI5509DC-T1-E3
Modèle de produit SI5515DC-T1-E3 SI5511DC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 SI5509DC-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 1.1W 3.1W, 2.6W 1.1W 4.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V 55mOhm @ 4.8A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 52mOhm @ 5A, 4.5V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SI5515 SI5511 SI5513 SI5509
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A, 3A 4A, 3.6A 3.1A, 2.1A 6.1A, 4.8A
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 7.1nC @ 5V 6nC @ 4.5V 6.6nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 435pF @ 15V - 455pF @ 10V

Fiche technique SI5515DC-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5515DC-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5515DC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

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Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 15/Sep/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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