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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5515CDC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5515CDC-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5515CDC-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5515CDC.pdf
État RoHS
En stock: 83690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5515CDC-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5515CDC-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V  
Puissance - Max 3.1W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI5515  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-E3

Attributs du produit SI5515CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 SI5513DC-T1-E3
Modèle de produit SI5515CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 SI5513DC-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V 55mOhm @ 4.4A, 4.5V 36mOhm @ 6A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 10V 285pF @ 10V 632pF @ 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 800mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 5V 4.2nC @ 5V 11.3nC @ 5V 6nC @ 4.5V
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SI5515 SI5513 SI5515 SI5513
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A, 3.7A 4A 3.1A, 2.1A
Puissance - Max 3.1W 3.1W 3.1W 1.1W

Fiche technique SI5515CDC-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5515CDC-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5515CDC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SI5515CDC.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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