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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5511DC-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5511DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5511DC-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5511DC-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5511DC.pdf
État RoHS
En stock: 4150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5511DC-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5511DC-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5511DC-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V  
Puissance - Max 3.1W, 2.6W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A, 3.6A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI5511  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5511DC-T1-E3

Attributs du produit SI5511DC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-E3
Modèle de produit SI5511DC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base SI5511 SI5504 SI5504 SI5515
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V 7nC @ 10V 7nC @ 10V 11.3nC @ 5V
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V 65mOhm @ 3.1A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 36mOhm @ 6A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 800mV @ 250µA
Puissance - Max 3.1W, 2.6W 3.12W, 3.1W 3.12W, 3.1W 3.1W
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A, 3.6A 4A, 3.7A 4A, 3.7A 4A (Tc)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V 220pF @ 15V 220pF @ 15V 632pF @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 20V

Fiche technique SI5511DC-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5511DC-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5511DC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SI5511DC.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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