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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ34
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ34 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ34
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ34
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRLZ34.pdf
En stock: 3950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ34
Vishay Siliconix - IRLZ34 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ34

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ34  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ34

Attributs du produit IRLZ34 IRLZ34NPBF IRLZ24SPBF IRLZ34L
Modèle de produit IRLZ34 IRLZ34NPBF IRLZ24SPBF IRLZ34L
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) 68W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 35mOhm @ 16A, 10V 100mOhm @ 10A, 5V 50mOhm @ 18A, 5V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Séries - HEXFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRLZ34 IRLZ34 IRLZ24 IRLZ34
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-262-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole

Fiche technique IRLZ34 PDF

Téléchargez IRLZ34 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ34 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
IRLZ34.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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