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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ24PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRLZ24PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ24PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ24PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRLZ24PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 44060

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ24PBF
Vishay Siliconix - IRLZ24PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ24PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ24  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ24PBF

Attributs du produit IRLZ24PBF IRLZ34 IRLZ24STRR IRLZ24NPBF
Modèle de produit IRLZ24PBF IRLZ34 IRLZ24STRR IRLZ24NPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 18A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Numéro de produit de base IRLZ24 IRLZ34 IRLZ24 IRLZ24
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 60mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 88W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 45W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 55 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Séries - - - HEXFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole

Fiche technique IRLZ24PBF PDF

Téléchargez IRLZ24PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ24PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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