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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLD120PBF
IRLD120PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLD120PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLD120PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLD120PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Description détaillée
Emballage
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IRLD120.pdf
État RoHS
En stock: 39130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLD120PBF
Vishay Siliconix - IRLD120PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLD120PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-HVMDIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 780mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Ta)  
Numéro de produit de base IRLD120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLD120PBF

Attributs du produit IRLD120PBF IRLH5034TR2PBF IRLD110 IRLD024
Modèle de produit IRLD120PBF IRLH5034TR2PBF IRLD110 IRLD024
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 4-HVMDIP 8-PQFN (5x6) 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) - 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 780mA, 5V 2.4mOhm @ 50A, 10V 540mOhm @ 600mA, 5V 100mOhm @ 1.5A, 5V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±10V - ±10V ±10V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Cut Tape (CT) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Ta) 29A (Ta), 100A (Tc) 1A (Ta) 2.5A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PowerVDFN 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base IRLD120 - IRLD110 IRLD024
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V - 4V, 5V 4V, 5V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 82 nC @ 10 V 6.1 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V

Fiche technique IRLD120PBF PDF

Téléchargez IRLD120PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLD120PBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Feuilles de données
IRLD120.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLD120PBF

Vishay Siliconix
32D-IRLD120PBF

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