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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLH6224TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLH6224TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLH6224TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLH6224TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRLH6224TR2PBF.pdf
En stock: 3900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLH6224TR2PBF
Infineon Technologies - IRLH6224TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLH6224TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 4.5V  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 105A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLH6224TR2PBF

Attributs du produit IRLH6224TR2PBF IRLHM620TRPBF IRLH5034TRPBF IRLHM630TRPBF
Modèle de produit IRLH6224TR2PBF IRLHM620TRPBF IRLH5034TRPBF IRLHM630TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 78 nC @ 4.5 V 82 nC @ 10 V 62 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 10 V 3620 pF @ 10 V 4730 pF @ 25 V 3170 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 4.5V 2.5mOhm @ 20A, 4.5V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (3x3) 8-PQFN (5x6) PQFN (3x3)
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 40 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 105A (Tc) 26A (Ta), 40A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA 1.1V @ 50µA 2.5V @ 150µA 1.1V @ 50µA

Fiche technique IRLH6224TR2PBF PDF

Téléchargez IRLH6224TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLH6224TR2PBF - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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