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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLD110PBF
IRLD110PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLD110PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLD110PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLD110PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Description détaillée
Emballage
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IRLD110.pdf
État RoHS
En stock: 50450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLD110PBF
Vishay Siliconix - IRLD110PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLD110PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-HVMDIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 600mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)  
Numéro de produit de base IRLD110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLD110PBF

Attributs du produit IRLD110PBF IRLH5030TRPBF IRLD120PBF IRLH6224TR2PBF
Modèle de produit IRLD110PBF IRLH5030TRPBF IRLD120PBF IRLH6224TR2PBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PowerVDFN 4-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PowerTDFN
Package composant fournisseur 4-HVMDIP 8-PQFN (5x6) 4-HVMDIP 8-PQFN (5x6)
Séries - HEXFET® - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 94 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 86 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRLD110 IRLH5030 IRLD120 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 600mA, 5V 9mOhm @ 50A, 10V 270mOhm @ 780mA, 5V 3mOhm @ 20A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 5185 pF @ 50 V 490 pF @ 25 V 3710 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V -
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 1.3W (Ta) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta) 13A (Ta), 100A (Tc) 1.3A (Ta) 28A (Ta), 105A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 1.1V @ 50µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount

Fiche technique IRLD110PBF PDF

Téléchargez IRLD110PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLD110PBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Feuilles de données
IRLD110.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLD110PBF

Vishay Siliconix
32D-IRLD110PBF

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