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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL540SPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL540SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL540SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL540SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL540S, SiHL540S.pdf
État RoHS
En stock: 33325

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL540SPBF
Vishay Siliconix - IRL540SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL540SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL540SPBF

Attributs du produit IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
Modèle de produit IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) - 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 28A (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension drain-source (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±8V ±16V ±10V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 5V
Numéro de produit de base IRL540 - - IRL540
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRL540SPBF PDF

Téléchargez IRL540SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL540SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRL540S, SiHL540S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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